"Diferentes Mecanismos Físicos que Contribuyen a la Generación de Segundo Armónico en el Silicio"

El silicio es un material que ha sido ya muy estudiado por su gran cantidad de aplicaciones tecnológicas. Nosotros hemos descrito la generación de segundo armónico utilizando el “Modelo de Enlace de Hiper Polarizabilidad Simplificado” (SBHM por sus siglas en inglés) propuesto por Aspnes y su grupo [G. D. Powell, J. F. Wang, and D. E. Aspnes, “Simplified bond-hyperpolarizability model of second harmonic generation,” Phys. Rev. B 65, 205320 (2002)] y mostramos las ventajas y algunas desventajas del modelo para obtener las diferentes contribuciones a la señal de segundo armónico debida a diferentes mecanismos físicos presentes en el cristal de silicio o inducidos en éste. Así, revisaremos diferentes fenómenos nolineales que originan una señal de segundo armónico. Estos fenómenos nolineales son de segundo y tercer orden, siendo los primeros dipolares y los últimos cuadrupolares. Encontramos que en todos los casos, donde el rompimiento de la simetría se da en la misma dirección que la normal a la superficie, es prácticamente imposible separar las diferentes contribuciones al segundo armónico. Sin embargo, cuando existe incidencia oblicua, es posible llevar a cabo la separación de la contribución al segundo armónico que proviene de la superficie y la que se genera en el bulto del cristal. Nuestra discusión se enfocará en el caso de las facetas de silicio Si (001) y Si (111).

Transmisión en vivo vía bit.ly/YouTube_ICF

Participante: Dr. Adalberto Alejo Molina

Institución: Centro de Investigación en Ingeniería y Ciencias Aplicadas (CIICAp, UAEM)

Fecha y hora: Este evento terminó el Miércoles, 22 de Mayo de 2024